Антава

VISHAY

Транзистор SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.4 A
Pulsed drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
0.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 352 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%53,89 ₽

Сумма · с НДС 22%53,89 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 153,89 ₽
от 5050,30 ₽
от 10046,88 ₽
от 30039,52 ₽
от 50035,93 ₽
от 150027,84 ₽
от 300026,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1308EDL-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.4 A
Pulsed drain current6 A
Рассеиваемая мощность0.3 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance132 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD

Документация

Документ производителя