Антава

VISHAY

Транзистор SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.48 A
Pulsed drain current
1.5 A
Рассеиваемая мощность
0.18 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 323 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%97,47 ₽

Сумма · с НДС 22%97,47 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 197,47 ₽
от 584,72 ₽
от 1077,41 ₽
от 10050,98 ₽
от 50036,36 ₽
от 100031,49 ₽
от 300030,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1302DL-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.48 A
Pulsed drain current1.5 A
Рассеиваемая мощность0.18 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.48 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W

Документация

Документ производителя