Антава

VISHAY

Транзистор SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.02 A
Pulsed drain current
6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1078X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.02 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation0.24 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.195 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A

Документация

Документы пока не предоставлены.