Антава

VISHAY

Транзистор SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-1.75A
Pulsed drain current
-8A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1077X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1.75A
Pulsed drain current-8A
Power dissipation0.33W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±8V
On-state resistance188mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A

Документация

Документы пока не предоставлены.