Антава

VISHAY

Транзистор SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.53 A
Pulsed drain current
2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 036 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%76,27 ₽

Сумма · с НДС 22%76,27 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 176,27 ₽
от 1046,33 ₽
от 5032,03 ₽
от 10027,46 ₽
от 50019,64 ₽
от 100017,16 ₽
от 300014,11 ₽
от 600013,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1062X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.53 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation0.22 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance762 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A

Документация

Документы пока не предоставлены.