Антава

VISHAY

Транзистор SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.61 A
Pulsed drain current
2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1036X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.61 A
Pulsed drain current2 A
Рассеиваемая мощность0.22 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A

Документация

Документы пока не предоставлены.