Антава

VISHAY

Транзистор SI1034CX-T1-GE3

SI1034CX-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.49 A
Рассеиваемая мощность
0.14 W
Корпус
SC89, SOT563
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1034CX-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.49 A
Рассеиваемая мощность0.14 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance396 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563

Документация

Документ производителя