Антава

VISHAY

Транзистор SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.515 A
Pulsed drain current
0.65 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1024X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.515 A
Pulsed drain current0.65 A
Рассеиваемая мощность0.28 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance1.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.515A; 0.28W

Документация

Документы пока не предоставлены.