VISHAY

Транзистор SI1023CX-T1-GE3

SI1023CX-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -0.45 A
Pulsed drain current: -1.5 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI1023CX-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-0.45 A
Pulsed drain current	-1.5 A
Рассеиваемая мощность	0.22 W
Корпус	SC89, SOT563
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	2.4 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.22W

Документация

Документы пока не предоставлены.