Антава

VISHAY

Транзистор SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-400 mA
Pulsed drain current
-1 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI1013X-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-400 mA
Pulsed drain current-1 A
Power dissipation0.275 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance2.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.4A; Idm: -1A

Документация

Документы пока не предоставлены.