Антава

VISHAY

Транзистор SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-0.275 A
Power dissipation
80 mW
Корпус
SC75 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1013R-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-0.275 A
Power dissipation80 mW
КорпусSC75 A
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance2.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.275A; 0.08W; SC75A; ESD

Документация

Документ производителя