Антава

VISHAY

Транзистор SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-0.45 A
Pulsed drain current
-1.5 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 895 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%66,73 ₽

Сумма · с НДС 22%66,73 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 166,73 ₽
от 1044,04 ₽
от 10029,17 ₽
от 50022,69 ₽
от 100019,83 ₽
от 300016,40 ₽
от 600014,68 ₽
от 900014,11 ₽
от 1500013,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI1013CX-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-0.45 A
Pulsed drain current-1.5 A
Power dissipation0.19 W
КорпусSC89, SOT563
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W

Документация

Документы пока не предоставлены.