Антава

VISHAY

Транзистор SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.63 A
Pulsed drain current
2 A
Power dissipation
0.15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI1012CR-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.63 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation0.15 W
КорпусSC75 A
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance396 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A

Документация

Документы пока не предоставлены.