Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8MB5TB1

SH8MB5TB1
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40/-40 V
Drain current
8.5/-8.5 A
Pulsed drain current
34 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8MB5TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40/-40 V
Drain current8.5/-8.5 A
Pulsed drain current34 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance26/21 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6/51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5/-8.5A; Idm: 34A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.