Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8MA2GZETB

SH8MA2GZETB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
4.5/-4.5 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
2.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSH8MA2GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current4.5/-4.5 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation2.7 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance125/115 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3/6.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/-4.5A; Idm: 12A

Документация

Документы пока не предоставлены.