Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8M41TB1

SH8M41TB1
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80/-80 V
Drain current
3.4/-2.6 A
Pulsed drain current
10.4...13.6 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 593 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%392,83 ₽

Сумма · с НДС 22%392,83 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1392,83 ₽
от 10228,13 ₽
от 50188,66 ₽
от 100172,45 ₽
от 250151,36 ₽
от 500135,69 ₽
от 1000120,19 ₽
от 250099,83 ₽
от 500094,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSH8M41TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80/-80 V
Drain current3.4/-2.6 A
Pulsed drain current10.4...13.6 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance160/310 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.6/8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.