Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8M41GZETB

SH8M41GZETB
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80/-80 V
Drain current
3.4/-2.6 A
Pulsed drain current
10.4...13.6 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8M41GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80/-80 V
Drain current3.4/-2.6 A
Pulsed drain current10.4...13.6 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance160/310 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.6/8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.