Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8M24TB1

SH8M24TB1
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
45/-45 V
Drain current
6/-6 A
Pulsed drain current
14...18 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8M24TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage45/-45 V
Drain current6/-6 A
Pulsed drain current14...18 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance64/92 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8/13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-6A; Idm: 14÷18A; 3.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.