Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8KC6TB1

SH8KC6TB1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.5 A
Pulsed drain current
26 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%306,98 ₽

Сумма · с НДС 22%306,98 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1306,98 ₽
от 10171,79 ₽
от 100128,70 ₽
от 250114,59 ₽
от 500105,06 ₽
от 100095,91 ₽
от 250085,04 ₽
от 500077,60 ₽
от 750073,22 ₽
от 1250068,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSH8KC6TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6.5 A
Pulsed drain current26 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.