Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8KB6TB1

SH8KB6TB1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Drain-source voltage
40 V
Drain current
8.5 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 984 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%91,78 ₽

Сумма · с НДС 22%14 960,14 ₽

От 163 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16391,78 ₽
от 30080,61 ₽
от 50078,23 ₽
от 100069,25 ₽
от 400067,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSH8KB6TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Drain-source voltage40 V
Drain current8.5 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; 40V; 8.5A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.