Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8KA7GZETB

SH8KA7GZETB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
15 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
4.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8KA7GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current15 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation4.6 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge81nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.