Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

SH8KA4TB1

SH8KA4TB1
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9 A
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
21.4 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSH8KA4TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Drain-source voltage30 V
Drain current9 A
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Gate charge15.5nC
Исходное описание поставщика

30V; 9A; SOP8; Channel: enhancement

Документация

Документы пока не предоставлены.