Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8KA4TB

SH8KA4TB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8KA4TB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation3 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 3W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.