Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8KA2GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current8 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation2.8 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance43 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2.8W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.