ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K52GZETB

SH8K52GZETB

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 3 A
Pulsed drain current: 12 A
Power dissipation: 2 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SH8K52GZETB
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	3 A
Pulsed drain current	12 A
Power dissipation	2 W
Корпус	SOP8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.19 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.