Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K41GZETB

SH8K41GZETB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
3.4 A
Pulsed drain current
13.6 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8K41GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current3.4 A
Pulsed drain current13.6 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.4A; Idm: 13.6A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.