Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K32TB1

SH8K32TB1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSH8K32TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance77 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.