Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K26GZ0TB1

SH8K26GZ0TB1
Type of transistor
N-MOSFET x2
Drain-source voltage
40 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±12 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 890 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%101,27 ₽

Сумма · с НДС 22%14 582,88 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 144101,27 ₽
от 30090,39 ₽
от 50088,71 ₽
от 100077,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSH8K26GZ0TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Drain-source voltage40 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; 40V; 6A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.