Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8K26GZ0TB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current6 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.