Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8K11GZETB

SH8K11GZETB
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
14 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8K11GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current14 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.