Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8JC5TB1

SH8JC5TB1
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-7.5 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSH8JC5TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-7.5 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.