Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8JB5TB1

SH8JB5TB1
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-8.5 A
Pulsed drain current
-34 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSH8JB5TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-8.5 A
Pulsed drain current-34 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8.5A; Idm: -34A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.