Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SH8J65TB1

SH8J65TB1
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-7A
Pulsed drain current
-28A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSH8J65TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-7A
Pulsed drain current-28A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.