Антава

INFINEON

Транзистор SGB02N120ATMA1

SGB02N120ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
6.2 A
Power dissipation
62 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 47 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%233,12 ₽

Сумма · с НДС 22%233 120,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1000233,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSGB02N120ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current6.2 A
Power dissipation62 W
КорпусD2PAK
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Turn-on time23ns
Turn-off time260ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.