Антава

INFINEON

Транзистор SGB02N120ATMA1

SGB02N120ATMA1
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
6.2 A
Рассеиваемая мощность
62 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSGB02N120ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current6.2 A
Рассеиваемая мощность62 W
КорпусD2PAK
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Turn-on time23ns
Turn-off time260ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.