VISHAY
Диод SF1200-TAP
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Load current
- 1 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Features of semiconductor devices
- avalanche breakdown effect, glass passivated, ultrafast switching
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 61 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%127,46 ₽
Сумма · с НДС 22%127,46 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 127,46 ₽ | |
| от 10 | 83,97 ₽ | |
| от 100 | 59,42 ₽ | |
| от 250 | 52,11 ₽ | |
| от 500 | 47,23 ₽ | |
| от 1000 | 42,92 ₽ | |
| от 2000 | 40,86 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SF1200-TAP |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Load current | 1 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | avalanche breakdown effect, glass passivated, ultrafast switching |
| Max. forward impulse current | 30 A |
| Корпус | SOD57 |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Max. forward voltage | 3.4 V |
| Leakage current | 50 µA |
| Reverse recovery time | 75ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack; 75ns
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.