Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX603GB17E4P 27895400

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
600 A
Корпус
SEMiX® 3p
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSEMIX603GB17E4P 27895400
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current600 A
КорпусSEMiX® 3p
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.8kA
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A

Документация

Документ производителя