Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX603GB12E4SICP 27895300

SEMIX603GB12E4SICP 27895300
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
600 A
Корпус
SEMiX® 3p
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%91 426,52 ₽

Сумма · с НДС 22%91 426,52 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 191 426,52 ₽
от 382 262,05 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current600 A
КорпусSEMiX® 3p
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A

Документация

Документ производителя