SEMIKRON DANFOSS
Транзистор SEMIX453GB12E4I33P 27897020
SEMiX® 3pИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Topology
- current shunt, IGBT half-bridge, thermistor
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 450 A
- Корпус
- SEMiX® 3p
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | SEMIX453GB12E4I33P 27897020 |
|---|---|
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Topology | current shunt, IGBT half-bridge, thermistor |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 450 A |
| Корпус | SEMiX® 3p |
| Application | for UPS, Inverter, photovoltaics |
| Electrical mounting | Press-Fit, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 1.35kA |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; transistor/transistor; current shunt; Urmax: 1.2kV
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.