Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX303GB12E4I50P 27897007

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
current shunt, IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Корпус
SEMiX® 3p
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
Topologycurrent shunt, IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current300 A
КорпусSEMiX® 3p
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current900 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; current shunt; Urmax: 1.2kV

Документация

Документ производителя