Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX302GB12E4S 27890120

SEMIX302GB12E4S 27890120
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Корпус
SEMIX2S
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%39 601,36 ₽

Сумма · с НДС 22%39 601,36 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 139 601,36 ₽
от 334 706,81 ₽
от 631 369,62 ₽
от 1228 032,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current300 A
КорпусSEMIX2S
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current900 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A

Документация

Документ производителя