Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX206GD12T4P 27896030

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
200 A
Корпус
SEMiX® 6p
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current200 A
КорпусSEMiX® 6p
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документ производителя