Антава

SEMIKRON DANFOSS

Транзистор SEMIX151GB12E4S 27890100

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
150 A
Корпус
SEMIX1S
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
ПроизводительSEMIKRON DANFOSS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge, thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current150 A
КорпусSEMIX1S
Applicationfor UPS, Inverter, photovoltaics
Electrical mountingPress-Fit, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current450 A
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A

Документация

Документ производителя