Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTWA60N120G2-4

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
60 A
Pulsed drain current
177 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCTWA60N120G2-4
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current60 A
Pulsed drain current177 A
Power dissipation389 W
КорпусHIP247-4
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W

Документация

Документы пока не предоставлены.