Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTW90N65G2V

SCTW90N65G2V
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
220 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCTW90N65G2V
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current90 A
Pulsed drain current220 A
Рассеиваемая мощность565 W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge157nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W

Документация

Документ производителя