STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTW70N120G2V

HIP247™Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 91 A
Pulsed drain current: 274 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCTW70N120G2V
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	91 A
Pulsed drain current	274 A
Power dissipation	547 W
Корпус	HIP247™
Gate-source voltage	-10...22 V
On-state resistance	30 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	150nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 91A; Idm: 274A; 547W

Документация

Документы пока не предоставлены.