Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
45A
Pulsed drain current
90A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSCTW35N65G2V
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current45A
Pulsed drain current90A
Power dissipation240W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...22V
On-state resistance68mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W

Документация

Документы пока не предоставлены.