STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTL35N65G2V

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 160 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCTL35N65G2V
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	160 A
Power dissipation	417 W
Корпус	PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage	-10...22 V
On-state resistance	67 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	73nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W

Документация

Документы пока не предоставлены.