Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTH60N120G2-7

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
60 A
Pulsed drain current
177 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCTH60N120G2-7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current60 A
Pulsed drain current177 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусH2PAK7
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge94nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 390W

Документация

Документы пока не предоставлены.