Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCTH35N65G2V-7

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
45 A
Pulsed drain current
90 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCTH35N65G2V-7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current45 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность208 W
КорпусH2PAK7
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance67 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge73nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.